| Name |
入室 |
在籍 |
Theme |
| Kenta Fukushima | （入室2018 | ・在籍B, M） |
Y3Fe5O12/非磁性導電体の界面状態とスピン流注入効率との相関解明 |
| Naoki Moriuchi | （入室2018 | ・在籍B, M） |
二層膜IrO2/CoFeBにおける電流-スピン流変換効率 |
| Masaya Okochi | （入室2019 | ・在籍M） |
室温強磁性を示す遷移金属酸化物を用いたスピン流特性の検出 |
| Masafumi Sugino | （入室2019 | ・在籍B, M） |
二層膜Pt/MgFe2O4におけるスピン流物性と磁気特性の相関 |
| Takuya Tougehara | （入室2019 | ・在籍B, M） |
ニッケル酸化物超伝導体作製の試み |
| Hayato Fujii | （入室2020 | ・在籍M） |
5d電子系WO2におけるスピン流生成 |
| Maiko Nishikawa | （入室2021 | ・在籍B） |
磁性元素をドープしたSn系酸化物半導体の電気伝導と磁気輸送特性評価 |
| Aritsune Hirose | （入室2020 | ・在籍B, M） |
ペロブスカイト型Mn酸化物におけるスピン流特性の検出 |
| Tetsuro Morimoto | （入室2020 | ・在籍B, M） |
5d電子系IrO2の結晶性がスピン流生成に与える影響 |
| Shu Kamiyama | （入室2022 | ・在籍B） |
Mn酸化物薄膜における軌道自由度の制御の試み |
